BSH111BKR دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
BSH111BKR
|
|
حجم فایل
|
56.571
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
16
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Nexperia BSH111BKR
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
302mW
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
0.5nC@4.5V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
55V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
30pF@30V
-
Continuous Drain Current (Id):
210mA
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
1.3V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
4Ω@4.5V,200mA
-
Package:
SOT-23(TO-236)
-
Manufacturer:
Nexperia
